报告摘要：

Heterostructured III-V semiconductor nanowires have attracted considerable attention in recent years because of their potential in future nano-electronic and nano-photonic device applications. The III-V nanowire project at NTNU today involves the epitaxial growth (MBE), structural (HRTEM) and nano-optoelectrical characterization, as well as processing (NTNU NanoLab) with a special emphasis on nanowire solar cell devices. In this talk, I will give some highlights on what we have achieved since 2006 when the first GaAs nanowires were grown at NTNU.

I will then focus on our most recent work on epitaxial growth of GaAs nanowires on graphene [1-2]. We have recently developed a generic atomic model, which describes the epitaxial growth of semiconductor nanostructures on graphene that is applicable to all conventional semiconductor materials. The model was first verified by cross-sectional transmission electron microscopy studies of GaAs nanowires that grow epitaxially and dislocation-free on graphene. Recently we have also shown the vertical growth of dislocation-free GaN nanowires on graphene [3]. The epitaxial growth of semiconductor nanostructures on graphene is very appealing for device applications since graphene can function not only as a replacement of the semiconductor substrate but in addition as a transparent and flexible electrode for e.g. solar cells and LEDs.

For deep ultraviolet AlGaN based LEDs in huge need for various disinfection and sterilization purposes, the concept offers a real advantage over present thin film based technology. Such thin film UV LEDs are today very expensive and inefficient due to the lack of a good transparent electrode (ITO is absorbing in deep UV), the high dislocation density in the active thin film layers, low light extraction efficiency, and the use of very expensive semiconductor substrates (e.g. AlN). The spin-off company CrayoNano are now developing UV LEDs based on the growth of AlGaN nanostructures on graphene, which potentially can overcome these problems, as will be further discussed in my talk.

References

A.M. Munshi, D.L. Dheeraj, V.T. Fauske, D.C. Kim, A.T.J. van Helvoort, B.O. Fimland, and H. Weman, Nano Letters 12, 4570 (2012).

2. A.M. Munshi and H. Weman, Phys. Status Solidi RRL 7, 713 (2013). (Review)

3. M. Heilmann, A.M. Munshi, G. Sarau, M. Göbelt, C. Tessarek, V.T. Fauske, A.T.J. van Helvoort, J. Yang, M. Latzel, B. Hoffmann, G. Conibeer, H. Weman, and S. Christiansen,

Nano Letters 16, 3524 (2016).

报告人简介：

报告摘要： Recently, solution-processed semiconductors have attracted tremendous attention in the scientific community, mainly due to their ease of fabrication, readily tunable optoelectronic properties, compatibility with flexible substrates and promising performance. In this talk, I will first discuss the optoelectronic properties of CdSe/CdS colloidal nanocrystals and their assemblies. In the second part of my talk, I will introduce our recent work on using hybrid perovskite single crystals for X-ray detection and imaging, and the detection of ~100 fW/cm2 light with organic phototransistors.

报告人简介： 张杨，博士，湖南浏阳人。2003年毕业于四川大学RAYBET雷竞技微电子与固体 电子学专业获理学学士学位。同年保送至中国科学院半导体研究所超晶格 室师从杨富华研究员继续研究生阶段学习，并于2008年获微电子与固体电 子学专业工学博士学位。2009年至今先后在意大利技术研究所，美国威斯 康辛大学密尔沃基分校，内布拉斯加大学林肯分校，以及阿肯色大学从事 博士后研究工作。他现在的主要研究兴趣包括超高灵敏度的光电以及射线 探测器，半导体纳米材料的光学和电学输运性质表征，基于纳米材料的高 灵敏度气体传感器，半导体微纳加工技术，以及半导体表征和测试设备研 制。近年来，他以第一作者或通讯作者在Nature Photonics，Advanced Materials， Nanoscale，和ACS Applied Materials & Interfaces 等国际期刊上 发表多篇学术论文。

报告摘要： 有机光伏电池方面，围绕提高有机光伏电池的能量转化效率，利用界面工程、光管理 技术（微腔、光子晶体和局域表面等离子体），构建单节和级联结构光伏电池，尤其 利用一维光子晶体调控光场分布进而拉平透射光谱，首次实现了显色指数接近100的 高效率半透明光伏电池，彻底解决了有机半透明光伏电池固有的效率和透过率之间的 矛盾。有机光电探测器方面，利用量子点陷阱诱导电荷倍增注入和表面缺陷能级钝化 等手段，制作了高增益、超低噪声、快响应和大线性度的纳米复合型光电探测器，综 合性能优于商用硅基探测器，尤其通过调整光穿透深度、载流子漂移长度和薄膜厚度 三者关系，首次实现了增益型超窄带宽的红光和可见光盲型近红外探测器，在生物荧 光检测和成像方面具有极其深远的应用前景；利用高迁移率的钙钛矿薄膜材料，首次 实现了自驱动型纳秒级响应速度的光电探测器，并成功实现了时间分辨荧光寿命的检 测，达到了商用水平。这些工作对于推动有机光伏电池和有机光探测器最终走向实用 化和商品化，做出了有益的探索。

报告人简介： 沈亮，吉林大学教授，院长助理（负责外事工作和国际合作办学）。 2014-2016年在美国内布拉斯加州大学林肯分校从事博士后研究。 主要从事有机光伏电池和光电探测器的研究，近年来以第一作者和 通讯作者等身份在Advanced Materials等重要学术刊物上共发表被 SCI检索论文>90篇，被包括Nature Photonics，Nature Materials等重 要学术期刊引用>1500次。申请和授权中国及美国发明专利>10项。 获得2014年吉林省科学技术进步一等奖（第二完成人）

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联 系 人：何 军 （junhe@csu.edu.cn）

报告摘要：

随着自旋电子学的迅猛发展,人们发现电子自旋流与热流之间存在相互作用,从而产生了一门新兴的领域：自旋卡诺电子学（spin caloritronics）。该学科旨在通过增加电子自旋这一新的自由度来提高热效应的品质因数。本报告主要介绍自旋卡诺电子学的研究进展,包括自旋相关泽贝克效应（Seebeck）效应、自旋泽贝克效应、磁性隧道结的热电效应以及热自旋转矩；值得关注的是这一领域的发展直接导致了自旋波的输运研究与谐振腔-自旋电子学的发展

报告人简介：

夏钶 教授 北京师范大学物理学系教授、系主任，国家杰出青年基金获得者。1997年南京大学物理系理学博士，1998–2002年先后在荷兰、美国从事计算材料科学博士后研究。2002年入选中国科学院百人计划。历任中科院物理研究所副研究员、研究员，博士生导师，课题组长。2008年获得国家杰出青年科学基金。2009年调入北京师范大学物理系。夏教授主要研究计算材料物理、自旋电子学、纳米体系电子输运理论。他自行发展了基于第一性原理计算纳米体系电子输运的理论方法，并将此方法成功地用于研究：a)磁性多层膜的界面电阻，b)自旋泵浦效应；c)热-自旋效应。他在国际顶级物理期刊Nature Nano.，PRL等发表SCI论文40余篇。主持国家重大基础研究中长期计划、国家杰出青年科学基金及多项国家自然科学基金面上项目。

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报告摘要：

宇称-时间(PT)对称性，即空间反射和时间反演下的不变性，是物理学中一个非常重要的基本概念。为了保证可观测量为实数和几率守恒，传统量子力学要求哈密顿量具有厄米性，非厄米的哈密顿量一般不能保证几率守恒。最近，人们发现具有PT对称性的非厄米哈密顿量在特定条件下也可保持几率守恒和具有实本征谱。由于非厄密哈密顿量可有效地描述各种物理领域中的开放量子系统，因此PT对称的体系成为最近广泛研究的热点问题。报告首先将介绍PT对称性的定义及其在光学系统中的实验实现。然后探索如何利用周期调制激光去操控光学波导体系和非厄米多体量子体系的PT对称性，发现不管初始的体系是否是PT对称的，都可用周期调制去操控体系的PT对称性。

报告人简介：

钟宏华博士 吉首大学物理与机电工程学院副教授，硕士生导师。2011年湖南师范大学物理与信息科学学院理学博士，2011年吉首大学物理与机电工程学院副教授，2012年4月-2015年4月中山大学物理学博士后流动站博士后，2015年5月-至今中山大学光学博士后流动站博士后。研究领域为量子物理及其应用，主要研究超冷原子气体的多体量子物理、光学波导体系的量子模拟和量子精密测量。在国内外权威物理期刊上发表SCI论文32篇，其中Phys. Rev. Lett 1篇，Laser Photonics Rev. 1篇，Phys. Rev. A 10篇。主持国家自然科学基金和湖南省自然科学基金项目多项。